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2022.12.02
【中實(shí)創(chuàng)新】IGBT焊片封裝空洞率新突破!

IGBT,是由BJT雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。

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IGBT驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

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IGBT模塊的應(yīng)用決定了其不僅要有極高的可靠性,且要有較長的使用壽命。

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IGBT在實(shí)現(xiàn)電流切換的過程中,會(huì)產(chǎn)生較大的功率損耗,因此“散熱”是影響其可靠性的重要因素。而芯片焊接處和基片焊接處等位置,是IGBT主要的熱量傳輸通道,焊接處的焊接質(zhì)量影響了IGBT的可靠性和壽命。

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研究表明,焊料層內(nèi)出現(xiàn)空洞時(shí),芯片結(jié)溫隨之增加,且芯片結(jié)溫與焊料層空洞率幾乎成正比。從而影響熱循環(huán),造成局部溫度過高,降低模塊使用壽命。器件的工作溫度每升高10℃,其失效率將增大一倍左右。

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因此,IBGT封裝,最重要的是降低焊料層的空洞率。

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中實(shí)研發(fā)IGBT預(yù)成型焊片

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國內(nèi)首創(chuàng)

> IGBT?八元合金焊片

產(chǎn)品特點(diǎn):

-滿足新能源汽車高可靠性、超長壽命需求

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-更長的產(chǎn)品生命周期性

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> IGBT 加強(qiáng)型等高焊片

產(chǎn)品特點(diǎn):

-?高強(qiáng)度

-?應(yīng)力分布均勻

-?焊接層均勻、焊接高度可控

-?低空洞率

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空洞率對比

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實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

以下為對比實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),可以看到中實(shí)IGBT預(yù)成型焊片,有效降低了焊接空洞率,且產(chǎn)品穩(wěn)定性表現(xiàn)更佳。

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目前,中實(shí)IGBT預(yù)成型焊片已穩(wěn)定供貨于各大半導(dǎo)體企業(yè)、新能源汽車企業(yè)等。

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